吉大《CEJ》：界面离子固定化，实现高质量钙钛矿发光二极管！

金属碱金属钙钛矿型背光（PELED）是一种新兴的替代品氯化钠可研磨电子技术，有着极较低的色精炼和固定式的导弹红外光。然而，钙钛矿导弹层和关键作用力数据流间的图标缺陷比较严重管制了半导体器件效率的提极较低，尤其是对于同时有着极较低照度和良好另有部量子场论可靠性的半导体器件。

在此，吉林大学的研究工作医务人员们设想了一种简便可靠的图标词句方式而，以实现在极较低照度下有着极较低另有部量子场论可靠性的极较低效PeLED。通过用碱金属碱金属（K+、Na+）和弱酸碱金属（甘油顶上碱金属）词句载流子数据流，制备了表面覆盖率极较低、图标缺陷少的钙钛矿聚丙烯。结果表明，在连续阻抗驱动下，PeLEDs获取了80288 cd/m2的极较低照度和13.02%的极较低另有量子场论可靠性。格外值得称赞的是，制备半导体器件在极较低照度和极较低阻抗密度下表现出新EQE的较低roll-off举动，因为钙钛矿和关键作用力数据流图标上的碱金属阴碱金属和水银Cl空位被理论上依赖性。相关文章中以题目为“Perovskite light-emitting diodes with low roll-off efficiency via interfacial ionic immobilization”撰写在Chemical Engineering Journal 刊物上。

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除此以另有，由于卤化水银钙钛矿有着诱人的电磁学和光学功用，它已成为下一代型式结果显示和光伏电子技术的候选材料。除了极较低载流子迁移率另有，长载流子散布长度和极较低吸收系数在太阳能电池中所也起着最重要关键作用，并能导弹适配、极较低色精炼和灵活使其在背光中所获取成功。到在此之前，PeLEDs的另有部量子场论可靠性（EQE）在橙色、红色和近红另有区域已超过20%。迄今为止，PELED的两种主要半导体器件结构设计是传统的和倒置的结构设计，如PEDOT：PSS、钙钛矿、TPBi、LiF、Al和ZnO 、钙钛矿、TFB、MoO3、Au。与后者相比，关于前者的美联社格外多。

然而，传统结构设计一般来说时会导致诸如较低照度、极较低开启电压和比较严重的可靠性变小等副关键作用。可靠性变小是PeLED效率的一个最重要指标。过快的可靠性变小将比较严重降较低电子元件稳定性，提高能源消耗，并大大减缓钙钛矿的低成本。为了获取极较低可靠性和照度，载流子数据流（HTL）一般来说采用比较简单的多层结构设计，如TFB、PVK、PEDOT/TFB、PEDOT/TFB/PVK、NiOx /TFB/PVK等。到在此之前，使用单HTL和多HTL的PeLEDs的峰值可靠性分别为20.3%和20.5%。然而，比较简单的半导体器件结构设计将不可避免地导致格外多的图标问题和制造成本，并值得注意着由于强烈的俄莱斯复合而导致的极较低照度下的比较严重可靠性变小。

因此，为了实现同时有着照度和EQE的Peled，对于较低滚降可靠性的极较低效率Peled，应格外加重视关键作用力外加层和图标当系统动力学的精细调节。在以前的报告中所，已经设想了许多方式而来修正载流子数据流以改善半导体器件图标，例如代谢物、氯化钠、碳酸钾、PVC磺酸钠等。这些工作证实，图标改性是改善PeLED效率的一种相比简便理论上的步骤。 （文中：爱新觉罗星）

图1：甘油钠图标改性剂的影响。SEM图象（a）。接触角（b）的图象。XRD图解（c）。相比PL和吸收光谱学，在紫另有光（d）下钙钛矿聚丙烯的拍下。405 nm激发下的时间分辨PL变小弧线（e）甘油钠掺入量分别为0、3、6、9 mg/ml（f）的SC-PEDOT:PSS上橙色闪烁（525 nm）钙钛矿聚丙烯的光致闪烁量子场论产率（PLQYs）。

图2：在纯PEDOT:PSS（a）上演化成钙钛矿聚丙烯。SC-PEDOT:PSS表面钙钛矿聚丙烯的演化成及图标甘油盐和血红素（b）的关键作用机理。

图3：建模PeLED结构设计的SEM图象（a）。建模的PeLED半导体器件结构设计示例（b）。EL吸收光谱（c）。有无甘油钠图标词句的PeLEDs半导体器件效率。远超过照度对比度（d）。L-V和J-V弧线（e）。EQE-J弧线（f）。最佳电子元件的效率是在各不相同的的测试间隔下进行的。L-V和J-V（g）。CE-J（h）。EQE-J弧线（i）。

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