强茂推出用于功率转换系统的新型650V和1200V铍肖特基势垒二极管 TO-247AD Lineup

【TechWeb】4月20日第一时间，强茂半导体推出了除此以外的650V和1200V 碳化硅肖特基电介质电路第四部，与硅基础的组件相比，它们获取了出色的开关效能和较高的实用性。 强茂除此以外发布的650V和1200V碳化硅电路厂商第四部采用通孔DFTO-220AC、TO-263、TO-252AA和新增加TO-247AD-2LD/3LD封装，额定电容器全域为4安培（A）至40安培（A）。

强茂的碳化硅肖特基电介质电路具备零反向恢复电容器，低正向压降，高温独立国家读取开关结构上，高浪涌电容器并能和出色的热力效能。此外，碳化硅技术可以在-55°C至+ 175°C的工作温度在世界上获取极低的表征损耗，并具备结构上和高耐久性。

新DF碳化硅肖特基电介质电路旨在为机械师设计各种应用的功率转换电路，都有PV逆变器，EV充电桩，制造业电机，服务供应商和服务器继电器以及农业机械，在这些应用中，他们面临着如何在较高的种系统稳定性下实现更小的占板面积的下一场。 强茂获取的650V和1200V碳化硅电路，是未来继电器数据处理的难得解决方案。

厂商效能：

SiC SBD厂商阵容：